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22年12月01日发布友顺-UTC 运放IC 供应信息

TL072G(W0) SOP-8 低噪声双J-FET运算放大

地区：深圳

22年12月01日发布友顺-UTC比较器IC 供应信息

友顺-UTC比较器IC LM324G-2(W1) LM33

地区：深圳

22年12月01日发布 ADM2682EBRIZ-RL7 供应信息

地区：深圳

22年11月30日发布 IW339-00 供应信息

描述 IW339-00是一个二次侧PWM信号发生器，可用于

地区：深圳

22年11月30日发布 IW337-30 供应信息

描述 IW337-30是一个二次侧PWM信号发生器，可用于

地区：深圳

22年11月29日发布 N沟道MOSFET NCE0117K 供应信息

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地区：深圳

22年11月29日发布 N沟道MOSFET NCE6080A 供应信息

新洁能12-200V N沟道MOSFET NCE6080A 描述 NCE6080A采用先进的沟槽

地区：深圳

22年11月29日发布华润华晶CS7N65A4R 供应信息

描述 CS7N65A4R，硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗

地区：深圳

22年11月29日发布华润华晶CS8N70FA9R-G 供应信息

描述 CS8N70FA9R-G，硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传

地区：深圳

22年11月29日发布华润华晶CS7N65FA9R 供应信息

描述 CS7N65FA9R，硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损

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