N沟道MOSFET NCE6080A 信息编号：15315
2022年11月29日 发布， 有效期：长期有效
详情：新洁能12-200V N沟道MOSFET NCE6080A
描述
NCE6080A采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
总体特点
●VDS = 60V, ID = 80A
RDS(ON)<6.3mΩ @ VGS=10V
RDS(ON)<7.8mΩ @ VGS=4.5V
●高密度电池设计，超低RDS(ON)
●全特性雪崩电压和电流
●稳定性好，均匀性好，EAS高
●优良的包装，散热性好
应用
●PWM
●负荷开关
描述
NCE6080A采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
总体特点
●VDS = 60V, ID = 80A
RDS(ON)<6.3mΩ @ VGS=10V
RDS(ON)<7.8mΩ @ VGS=4.5V
●高密度电池设计，超低RDS(ON)
●全特性雪崩电压和电流
●稳定性好，均匀性好，EAS高
●优良的包装，散热性好
应用
●PWM
●负荷开关
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