N沟道MOSFET NCE0117K 信息编号：15316
2022年11月29日 发布， 有效期：长期有效
详情：新洁能12-200V N沟道MOSFET NCE0117K
描述
NCE0117K采用先进的沟槽技术和设计，以较低的栅极电荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
总体特点
●VDS = 100V, ID = 17A
RDS(ON) < 70mΩ @ VGS=10V (Typ:56mΩ)
RDS(ON) < 85mΩ @ VGS =4.5V (Typ:65mΩ)
●高密度电池设计，超低RDS(ON)
●全特性雪崩电压和电流
●稳定性好，均匀性好，EAS高
●优良的包装，散热性好
●特殊工艺技术，防静电能力强
应用
●电源开关应用
●硬切换和高频电路
描述
NCE0117K采用先进的沟槽技术和设计，以较低的栅极电荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
总体特点
●VDS = 100V, ID = 17A
RDS(ON) < 70mΩ @ VGS=10V (Typ:56mΩ)
RDS(ON) < 85mΩ @ VGS =4.5V (Typ:65mΩ)
●高密度电池设计，超低RDS(ON)
●全特性雪崩电压和电流
●稳定性好，均匀性好，EAS高
●优良的包装，散热性好
●特殊工艺技术，防静电能力强
应用
●电源开关应用
●硬切换和高频电路
| 公司名称：深圳市光华创新科技有限公司 | 联系人：销售部 |
| 电话：0755-83013949 | 传真： +86-755-8301 4248 |
| QQ： | 邮箱：msgben@hotmail.com |
| 联系地址：广东省深圳市福田区中航路7号鼎诚大厦南座27楼 | 发布者所在地区(仅供参考)：广东省深圳市电信ADSL |
