详情：英飞凌双IGBT驱动IC 2ED020I06-FI
描述
2ED020I06-FI是一款高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有联锁高侧和低侧参考输出。浮动高侧驱动器可以直接供电，也可以通过二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外，2ED020I06-FI还配备了专用的停机输入。所有逻辑输入兼容3.3 V和5 V TTL。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。这两种驱动器都设计用于驱动N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达650V。
特性
•650V无芯变压器隔离驱动器IC
•轨到轨输出
•保护功能
•浮动高侧驱动
•双通道欠压锁定
•3.3V和5V TTL兼容输入
优势
•节省空间的封装
•快速和坚固的设计
•改善效能
•符合RoHS标准
应用
•电机控制与驱动
•太阳能系统的解决方案
•工业焊接
•不间断电源(UPS)
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