详情：NCE0224K NCE3050K NCE6020AI NCE0130A NCE0157A2
以上系列型号是新洁能12-200V N沟道MOSFET
描述
采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的RDS（ON）。它们可以用于各种各样的应用。
总体特点
●高密度电池设计，超低RDS（ON）
●全特性雪崩电压和电流
●稳定性好，均匀性好，EAS高
●优良的包装，散热性好
●特殊工艺技术，防静电能力强
应用
●电源开关应用
●硬切换和高频电路
●不间断电源

NCE0224K(封装 TO-252): VDS = 200V, ID= 24A
RDS（ON） < 80mΩ @ VGS=10V (Typ:64mΩ)

NCE3050K（封装TO-252-2L）: VDS = 30V, ID = 50A
RDS（ON） < 11mΩ @ VGS =10V (Typ:8mΩ)
RDS（ON） < 16mΩ @ VGS =4.5V (Typ:10mΩ)

NCE6020AI （封装TO-252-2L）: VDS = 60V, ID = 20A
RDS（ON） <25mΩ @ VGS =10V
RDS（ON） <31mΩ @ VGS =4.5V

NCE0130A（封装TO-220-3L）: VDS = 100V, ID = 30A
RDS（ON） < 32mΩ @ VGS =10V (Typ:25mΩ)

NCE0157A2（封装TO-220-3L）: VDS = 100V, ID = 57A
RDS（ON） < 14.5mΩ @ VGS =10V (Typ:12.5mΩ)

•