CS12N65FA9R 信息编号:15286
2022年11月24日 发布, 有效期:长期有效
详情:描述
CS12N65FA9R,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗,改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-220F,符合RoHS标准。
特征
•快速切换
•低导通电阻(Rdson≤0.8Ω)
•低栅极电荷(典型数据:40nC)
•低反向转移电容(典型值:9.5pF)
•100%单脉冲雪崩能量测试
应用
适配器和充电器的电源开关电路。
CS12N65FA9R,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗,改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-220F,符合RoHS标准。
特征
•快速切换
•低导通电阻(Rdson≤0.8Ω)
•低栅极电荷(典型数据:40nC)
•低反向转移电容(典型值:9.5pF)
•100%单脉冲雪崩能量测试
应用
适配器和充电器的电源开关电路。
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